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电路级静电放电的几种防护方法

静电放电是一种常见的近场危害源，可形成高电压，强电场，瞬时大电流，并伴有强电磁辐射，形成静电放电电磁脉冲。为了模拟分析静电事件，市场上现已经有很多静电放电模型，比较常见的静电模型有：人体模型（HBM），带电器件模型，场感应模型，场增强模型，机器模型和电容耦合模型等。

关于电路级静电放电的防护方法主要有以下几种：

齐纳二极管：利用齐纳二极管的反向击穿特性可以保护静电放电敏感器件。但是齐纳二极管通常有几十 pF 的电容，这对于高速信号（例如 500MHz）而言，会引起信号畸变。齐纳二极管对电源上的浪涌也有很好的吸收作用。

瞬变电压消除器：TVS 是一种固态二极管，专门用于防止静电放电瞬态电压破坏敏感的半导体器件。与传统的齐纳二极管相比， TVS 二极管 P/N 结面积更大，TVS二极管的瞬态功率和瞬态电流性能与结的面积成正比。该二极管的结具有较大的截面积，可以处理闪电和静电放电所引起的高瞬态电流。

多层金属氧化物结构器件 (MLV)：大陆一般称为压敏电阻。MLV也可以进行有效的瞬时高压冲击抑制，此类器件具有非线性电压 - 电流 ( 阻抗表现 ) 关系。

一般可以通过串联电阻或者磁珠来限制ESD放电电流，达到防静电的目的。前面提到了静电的能量频谱，如果用滤波器滤掉主要的能量也能达到静电防护的目的。对于射频天线的微波信号，如果用TVS管，压敏等容性器件来做静电防护，射频信号会被衰减，因此要求TVS的电容很低，这样增加ESD措施的成本。

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