芯片ESD测试方法的研究-上海凌茂电子科技有限公司

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芯片ESD测试方法的研究

芯片级ESD测试在集成电路制造工艺的道路上也在不断进步，近年来，芯片深受ESD静电放电等干扰的影响。

随着市场上各种电子产品的激烈竞争，设备制造商对使用的ESD静电放电等电磁兼容方面的要求也在增加难度。成本的不断增加，传统的板级和系统级的保护去解决整个设备的ESD静电放电性能，已不足芯片级所需要的抵抗ESD静电放电的能力。

上海凌茂电子科技有限公司顺应市场的发展需求，现有提供ESD防静电电子元器件与ESD测试。

在芯片的实际使用过程中，将近超过一半的失效芯片是有ESD静电放电的干扰所引起的。在以往的静电保护设计中，主要是由板级和系统级的层面上去解决ESD静电放电的问题，该层次上的静电保护要足够的好，保护所使用的器件免受ESD静电放电的损坏，制造产品在选择芯片时，并未对芯片的ESD静电放电性能提出要求。

由于这几年芯片级电磁兼容研究在国内外都得到广泛重视，芯片级电磁兼容性越来越受到各方面的重视。终端设备制造商和芯片制造商都努力改进白己的产品来满足电磁兼容规范，以此来提高产品在市场上的竞争力。

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